O IGFAE intégrase na rede MicroNanoSpain para o deseño e fabricación de chips semicondutores

O Instituto Galego de Física de Altas Enerxías (IGFAE), centro mixto da USC e a Xunta de Galicia, contribuirá nos vindeiros anos á rede MicroNanoSpain, un proxecto para fortalecer o deseño e fabricación de chips e semicondutores no ámbito español e europeo.

Nesta iniciativa participarán 25 universidades e centros de investigación españois, xunto á industria dos semicondutores, co obxectivo de mellorar as capacidades, competencias e innovación deste sector, esencial para un amplo abano de necesidades na sociedade actual, e crítico pola dependencia de terceiros países que actualmente experimenta a Unión Europea.

MicroNanoSpain acaba de obter oito millóns de euros por parte da Chips Joint Undertaking (Chips JU), unha entidade europea na que forman parte a Comisión Europea, os estados membros e a industria. O obxectivo desta liña de financiamento é desenvolver en cada país un Centro de Competencia en Deseño de Chips, para facilitar a contribución de empresas e centros de investigación  a este sector.

Así, a alianza construída arredor de MicroNanoSpain, formada por referentes nacionais e internacionais neste campo, aglutinará o coñecemento, capacidades e servizos para compartilo co tecido industrial do sector, desempeñando un papel fundamental no reforzo do ecosistema europeo de innovación no eido dos semicondutores.

A contribución do IGFAE

O IGFAE conta, desde a súa creación, cun equipo de referencia en toda a cadea de produción de detectores semicondutores, derivada da súa presenza no deseño e construción de instrumentación para grandes instalacións internacionais, como o experimento LHCb do CERN.

Neste marco, o persoal do Instituto conta con amplos coñecementos e capacidades no deseño microelectrónico e mecánico, a montaxe de compoñentes, os sistemas de adquisición de datos, verificación, cálculo e computación.

A presenza do IGFAE en MicroNanoSpain e outros consorcios verase ademais reforzada pola ampliación da sede do centro, que aumentará notablemente a superficie e os recursos destinados aos laboratorios experimentais e de instrumentación, que son clave para a proxección internacional do Instituto.

Sobre o IGFAE

O Instituto Galego de Física de Altas Enerxías (IGFAE), é un centro de investigación creado en 1999 pola Universidade de Santiago de Compostela e a Xunta de Galicia. Naceu co obxectivo de coordinar e fomentar a investigación científica e técnica nos campos da Física de Alta Enerxía, Partículas e Nuclear, e áreas relacionadas como a Astrofísica, a Física Médica ou a Instrumentación. Acolle a arredor de 140 persoas que participan en instalacións experimentais como o CERN, o Observatorio Pierre Auger, LIGO ou GSI/FAIR, entre outras.

O centro foi acreditado en dúas ocasións (2017 e 2023) como Unidade de Excelencia María de Maeztu por parte da Axencia Estatal de Investigación do Goberno de España. Tamén forma parte da rede CIGUS da Xunta de Galicia, que acredita a calidade e o impacto da súa investigación. Está cofinanciado pola Unión Europea a través do Programa Galicia Feder 2021-2027.